晶體管類型：NPN
集電極電流(Ic)：200mA
集射極擊穿電壓(Vceo)：40V
功率(Pd)：200mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：300mV@50mA,5mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：100@10mA,1V
特征頻率(fT)：300MHz
工作溫度：+150℃@(Tj)