晶體管類型:PNP集射極擊穿電壓(Vceo):60V集電極電流(Ic):600mA功率(Pd):250mW集電極截止電流(Icbo):20nA集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V特征頻率(fT):200MHz工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:PNP
集射極擊穿電壓(Vceo):60V
集電極電流(Ic):600mA
功率(Pd):250mW
集電極截止電流(Icbo):20nA
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):1.6V@500mA,50mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V
特征頻率(fT):200MHz
工作溫度:+150℃@(Tj)