晶體管類型:NPN集射極擊穿電壓(Vceo):25V集電極電流(Ic):500mA功率(Pd):300mW集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V特征頻率(fT):150MHz工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:NPN
集射極擊穿電壓(Vceo):25V
集電極電流(Ic):500mA
功率(Pd):300mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):600mV@500mA,50mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce):120@50mA,1V
特征頻率(fT):150MHz
工作溫度:+150℃@(Tj)