晶體管類型:PNP集射極擊穿電壓(Vceo):25V集電極電流(Ic):1.5A功率(Pd):1W集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V特征頻率(fT):100MHz工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:PNP
集射極擊穿電壓(Vceo):25V
集電極電流(Ic):1.5A
功率(Pd):1W
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@800mA,80mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce):160@100mA,1V
特征頻率(fT):100MHz
工作溫度:+150℃@(Tj)