晶體管類型：PNP
集射極擊穿電壓(Vceo)：25V
集電極電流(Ic)：500mA
功率(Pd)：300mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce)：120@50mA,1V
特征頻率(fT)：150MHz
工作溫度：+150℃@(Tj)