晶體管類型:NPN集射極擊穿電壓(Vceo):45V集電極電流(Ic):100mA功率(Pd):200mW集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V特征頻率(fT):150MHz工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:NPN
集射極擊穿電壓(Vceo):45V
集電極電流(Ic):100mA
功率(Pd):200mW
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce):300@1mA,5V
特征頻率(fT):150MHz
工作溫度:+150℃@(Tj)