晶體管類型:PNP集射極擊穿電壓(Vceo):30V集電極電流(Ic):3A功率(Pd):500mW集電極截止電流(Icbo):1μA集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V特征頻率(fT):50MHz工作溫度:+150℃@(Tj)
晶體管類型:PNP
集射極擊穿電壓(Vceo):30V
集電極電流(Ic):3A
功率(Pd):500mW
集電極截止電流(Icbo):1μA
集電極-發(fā)射極飽和電壓(VCE(sat)@Ic,Ib):500mV@2A,200mA
直流電流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V
特征頻率(fT):50MHz
工作溫度:+150℃@(Tj)