主營(yíng)品牌

STB24N60DM2

主要參數(shù)

制造廠商：ST（意法半導(dǎo)體）
類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D2PAK
技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK

制造商產(chǎn)品型號(hào)：STB24N60DM2
制造商：ST（意法半導(dǎo)體，STMicroelectronics）
描述：MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK
系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
產(chǎn)品系列：FDmesh? II Plus
零件狀態(tài)：有源
FET類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：600V
25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：200 毫歐 @ 9A，10V
不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5V @ 250μA
不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：29nC @ 10V
Vgs（最大值）：±25V
不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1055pF @ 100V
FET功能：-
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
器件封裝：D2PAK
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